ထုပ်ပိုး: သေတ္တာပုံး
ထွက်နိုင်ရေး: 1000000000 pcs/week
သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး: Ocean,Land,Air
မူလအစရာ: တရုတ်
Supply နိုင်ခြင်း: 7000000000 pcs/week
လက်မှတ်: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS Code ကို: 8541401000
ဆိပ်ကမ်း: SHENZHEN
ငွေပေးချေမှုရမည့်အမျိုးအစား: T/T,Paypal,Western Union
မင်: FOB,EXW,FCA
မော်ဒယ်နံပါတ်။: 1206PT850D &1206IRC-85L
အမှတ်တံဆိပ်: အကောင်းဆုံး LED
| ယူနစ်ရောင်းချခြင်း: | Piece/Pieces |
|---|---|
| အမျိုးအစား: | သေတ္တာပုံး |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
1206PT850D & 1206IRC-85L
အပေါ်ဘက်တွင် LED အမျိုးအစားနှစ်မျိုးရှိသည်။ အဖြူရောင်သည် 850nm အနီအောက်ရောင်ခြည် LED ထုတ်လွှင့်သူနှင့်အနက်ရောင်သည် IR50 receiver ဖြစ်ပြီး 850nm LED top view အမျိုးအစားတွင်လည်း 850nm photo diode ဟုလည်းခေါ်နိုင်သည်။ circuit တွင် 850nm LED emitter သည် signal ကိုထုတ်လွှတ်လိုက်ပြီးနောက် IR receiver သည်လက်ခံလိမ့်မည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် IR receiver ကိုကျွန်ုပ်တို့၏အပိုအလင်းအချို့ကိုစစ်ထုတ်နိုင်ရန်အတွက်အနက်ရောင်မှန်ဘီလူးများအဖြစ်ထုပ်ပိုးခံရလိမ့်မည်။ ၎င်းသည်ကျွန်ုပ်တို့လိုအပ်သောအချက်ပြနိုင်မှုကိုသေချာစေနိုင်သည်။ IR လက်ခံသူများအတွက်ရွေးချယ်ရန်အခြားပုံသဏ္haveာန်များလည်းရှိသည်။ ၃ မီလီမီတာအဝိုင်း၊ ၅ မီလီမီတာအဝိုင်း၊ ၃၅၂၈ SMD LED အမျိုးအစားစသည်တို့ဖြစ်သည်။
|
- Size: 2.0*1.25*0.8mm - Chip Number: 1 chip - Color: 850nm LED - Type: Surface mount device - Chip brand: Epistar |
- Polarity Mark - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
-DimensionParameters -
၎င်း SMD LED Case များကို IR LED၊ UV LED၊ Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED စသည်တို့အတွက်လည်းရရှိနိုင်သည်။
* ဓာတ်ပုံထဲတွင်အရောင်များကိုကင်မရာဖြင့်ရိုက်ယူပြီးအမှန်တကယ်ထုတ်လွှတ်သောအရောင်ကိုစံအဖြစ်ယူပါ။
- လျှပ်စစ် Parameters -
Ta တွင်အမြင့်ဆုံးသတ်မှတ်ချက် = 25 ℃
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Power Dissipation |
Pd |
50mW |
|
Pulse Forward Current |
IFP |
100mA |
|
Forward Current |
IF |
30mA |
|
Reverse Voltage |
VR |
5V |
|
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
|
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
|
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
|
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
|
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
|
Warranty |
Time |
2Years |
|
Antistatic bag |
Piece |
3000Back |
|
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
|
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
||
optical နှင့်လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ ( T c = 25 ℃ )
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Forward Voltage |
VF |
1.3 |
|
1.6 |
V |
IF=30mA |
|
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.0 |
|
V |
IFP=100mA |
|
Radiant Intensity |
IE |
2.3 |
|
4.8 |
mw/sr |
IF=30mA |
|
Peak Wavelength |
λP |
845 |
850 |
858 |
nm |
IF=30mA |
|
Total Radiated Power |
PO |
|
3.2 |
|
mw |
IF=30mA |
|
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=30mA |
|
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±70 |
|
deg |
IF=30mA |
|
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
|
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=30mA |
|
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=30mA |
|
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
|
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
|
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
||||||
1206 smd လက်ခံ
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
30 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
150 | uA |
VCE=70V Ee=0mw/cm2 |
|
On State Collector Current |
IC(on) |
|
0.7 |
4
|
mA |
Ee=1mw/cm2 Vce=5v |
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
85 |
|
|
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
8.2 |
|
V |
IECO=10uA |
|
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
|
0.3
|
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
300
|
|
400
|
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
|
Photocurrent 2 |
IPCE | 500 |
|
600 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
|
Current gain |
hFE |
200
|
|
3000
|
uA |
VCE=5V IC=2mA |
|
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP |
|
850
|
|
nm |
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
700
|
|
1100
|
nm |
|
|
Response Time-Rise Time |
tR |
|
15 |
|
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
|
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
|
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- ရွှေဝါယာကြိုး
- ထုပ်ပိုးပြီး -
* ၎င်းကိုတိပ်ခွေအဖြစ်လေဟာနယ်ထုပ်ပိုးပြီးထုပ်ပိုးသည်
- လျှောက်လွှာ -
- ဆက်စပ် LED -
- ထုတ်လုပ်မှု -
- အသုံးပြုခြင်း -
Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။
ပိုမိုမြန်ဆန်စွာဆက်သွယ်နိုင်အောင်ပိုမိုသောအချက်အလက်များကိုဖြည့်ပါ
Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။
Contact Now